《投資者網》潘思敏

12月24日，賽微電子（300456.SZ）發布公告稱，公司全資子公司瑞典Silex以MEMS（微機電系統）工藝為某客戶制造的OCS（光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗證（工藝開發與試產的總耗費時間超過7年），并于2023年12月22日收到該客戶發出的批量采購訂單，瑞典Silex開始進行MEMS-OCS的商業化規模量產。

據介紹，MEMS-OCS基于8英寸MEMS工藝和設計技術制造，結構復雜精密，是一組由指定數量平面鏡所構成的微鏡陣列，可用于精確調節光鏈路的折射方向，實現光鏈路之間的信號切換與雙向傳播，提高運算系統的整體性能及穩定性，同時降低系統成本與功耗，可在數據中心網絡、超算系統集群等場景中得到廣泛應用。

此前12月7日，谷歌推出最新AI加速芯片TPU v5p，進一步強化了0CS光交換技術的應用。谷歌大范圍部署0CS交換機，其超級計算機通過OCS交換機可以輕松地動態重新配置芯片之間的連接，有助于避免出現問題并實時調整以提高性能。

0CS交換機將來帶數據中心網絡架構的重大變革，從而降低功耗和成本。同時，谷歌OCS交換機核心在于MEMS反射鏡組件，MEMS光開關預計將迎來強勁需求。

轉型全球MEMS代工龍頭

賽微電子原身耐威科技從事導航業務和航空電子業務。2016年通過全資收購瑞通芯源獲得全球領先的MEMS純代工領域龍頭瑞典公司Silex控股權，同年公司籌劃建設FAB3的8英寸MEMS代工廠。

賽微電子一邊加碼進軍MEMS本土制造的決心，一邊剝離非半導體業務。于2022年成功轉型為一家以MEMS特色工藝為核心的半導體制造領軍企業，為客戶提供從MEMS工藝開發、晶圓制造到封裝測試的一站式服務。

MEMS業務已經成為賽微電子的主業，2023上半年公司實現總營收3.97億元，其中，MEMS晶圓制造收入2.32億元，占總營收58%，同比增長24.53%；MEMS工藝開發收入1.29億元，占總營收33%，同比減少24.68%。

不過由于下游需求減弱，以及北京FAB3仍處于運營初期的產能爬坡階段，歸母凈利潤虧損2744萬元。

其全資子公司Silex在MEMS工藝開發和代工領域深耕20年，根據23年中報援引YoleDevelopment統計，自2012年至今，公司全資子公司瑞典Silex在全球MEMS代工廠營收排名中穩居前五，在2019-2022年全球MEMS純代工廠商排名中位居第一。

賽微電子定位中游代工環節，MEMS行業存在產品品類多、工藝非標準化的特點，代工廠需要不斷進行工藝開發。而公司全資子公司Silex擁有164項國內及國際MEMS 核心專利，同時具備多項目并行開發的能力，可以滿足客戶多樣化多批次需求。

發展至今，賽維電子產品覆蓋領域廣泛，其MEMS產品包括消費電子領域的硅基麥克風、工業生產領域的慣性傳感器、汽車和光通信領域的微鏡、生物醫學領域的微流控與芯片實驗室、無線通信領域的射頻芯片，以及光通信領域的硅光子等。

產能方面，公司在瑞典擁有一座成熟運轉的MEMS晶圓工廠，內含兩條8英寸產線。目前瑞典FAB1&FAB2在當前階段的定位仍屬于中試+小批量產線，上半年出貨4.2萬片晶圓。今年初賽微電子公告通過瑞典孫公司1.93億元收購CoremScienceFastighetsAB100%股權協議，交易完成后，公司將在瑞典silex現有土地上自持物業，或在適當時機啟動量產線產能建設，從而瑞典silex真正形成工藝開發+規模量產并行經營能力。

同時賽微電子在北京也擁有一座處于建成運營初期、具備規模產能的MEMS晶圓工廠，內含一條8英寸產線。該座晶圓工廠也處于持續擴產狀態，北京FAB3的定位屬于規模量產線，已實現一期產能10,000片晶圓/月，正陸續推動產能從當前的1萬片/月向3萬片/月產能擴充，并持續擴大晶圓類別及客戶領域。

隨著MEMS晶圓制造業務的穩定發展以及擴產下規模效應的釋放，其業務毛利水平得到恢復提升。2023上半年，公司MEMS業務的綜合毛利率為33.52%，較上年同期基本持平；其中MEMS晶圓制造毛利率為32.57%，較上年上升16.33%。

并且賽微電子發展一直緊扣MEMS市場規模最大主力賽道，未來成長天花板高。

根據Yole Development的研究預測，全球MEMS行業市場規模將從2021年的136億美元增長至2027年的約223億美元，復合增長率（CAGR）達9%，通訊、生物醫療、工業汽車及消費電子的應用增速均非常可觀，其中通訊領域的復合增長率高達25%。

而北京FAB3已實現硅麥克風、電子煙開關、BAW濾波器的量產，正在進行小批量試產MEMS氣體傳感器、生物芯片、微振鏡。

其中濾波器是射頻MEMS市場核心器件，公司與武漢敏聲合作共建的8英寸BAW濾波器聯合產線達已于22年底通線，目前已實現多款BAW濾波器（含FBAR濾波器）規模量產，初期產能為2000片/月，后續可拓展至1萬片/月。并且公司于2023年7月宣布與某客戶簽訂長期協議，涉及12款不同型號的BAW濾波器及其衍生器件，且協議金額不少于1億元。

在高頻通信時代，濾波器市場空間巨大，與此同時國產替代需求也極其迫切，賽微電子有望打破日美廠商壟斷的市場格局，實現收入突破。

拓展GaN業務

賽微電子還正在對第三代半導體材料制造項目（GaN）進行持續投入。

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體具有寬帶隙（3.4 eV）、擊穿場強大（3.3 MW / cm）、電子飽和漂移速度高（2.7 * 107 cm / s）等物理結構優勢。在光電器件以及高頻高功率電子器件應用上具有廣闊的前景。

目前對GaN需求大幅增長的行業包括5G市場、快充產品、LiDAR（激光雷達）。根據Yole數據，2020年全球GaN功率器件市場規模為4600萬美元，預計將于2026年增長至11億美元，年復合增長率達到70%。

同樣的，GaN業務也在國內市場擁有巨大的需求及進口替代潛力。

賽微電子的GaN業務以6-8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）等新型材料與芯片技術為基礎，以專業技術及生產團隊為條件，通過向GaN芯片設計、制造廠商研發、生產并銷售外延材料，向通訊設備、數據中心、新型電源、智能家電等廠商研發、設計并銷售GaN芯片獲得銷售收入。

為了快速布局GaN產業鏈，賽微電子以參股公司聚能創芯的方式建設GaN芯片制造產線。并取得多項突破，在GaN外延材料方面，開始簽訂GaN外延晶圓的批量銷售合同并陸續交付；在GaN芯片方面，且已推出數款GaN功率芯片產品并進入小批量試產。

產能方面，聚能國際仍在推進GaN芯片制造產線一期產能（5000片/月）的建設。并且公司GaN業務團隊掌握了成熟的硅基GaN外延材料生長技術，其生產良率高于90%。

不過，公司2023年6月公告，聚能創芯擬獲得外部2.8億元增資，增資完成后，公司的持股比例將從32.02%變更為25.02%，聚能創芯不再是公司控股子公司，不再納入公司合并報表范圍。賽微電子表示將始終關注并重視第三代半導體產業及相關業務。

未來，公司將面臨市場競爭加劇和技術創新的雙重挑戰，但同時也擁有巨大的成長機遇，特別是在國產替代和5G技術推廣方面。（思維財經出品）■